Главная страница   Контактная информация   Новости науки и техники   Поиск на сайте   Форум

Модуль силовой полупроводниковый транзисторный на ток 80 А 2М5

1. Назначение

Модуль силовой полупроводниковый транзисторный типа n-p-n на ток 80 А предназначен для применения в ключевых схемах опытных образцов преобразователей.

2. Технические характеристики

2.1. Предельно допустимые значения параметров модулей должны соответствовать указанным в табл. 2.1.

Таблица 2.1

Наименование параметра,
обозначение параметра,
единица измерения

Норма

Условия и режимы

не менее

не более

Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при
заданном обратном напряжении эмиттер-база,
Uкэк, В

-

600, 800

Uэб = 3.0 В
Tп = 125 0C

Постоянное напряжение эмиттер-база при токе
коллектора равном нулю, Uэб, В

-

7.0

Iк = 0
Tп = 25 0C
Граничное напряжение коллектор-эмиттер при
заданном обратном напряжении эмиттер-база,
Uкэк, гр., В

500, 800

-

Uэб = 3.0 В
Iк изм. = 0.3 А
Tп = 25 0C
Импульсный ток коллектора, Iки max, А

-

80

tи = 30 мкс
Q = 20
Tк <= 85 0C
Импульсный ток базы, Iби max, А

-

15

tи = 30 мкс
Q = 20
Tк <= 85 0C
Постоянный ток базы, Iб max, А

-

10

Tк <= 85 0C
Постоянная рассеиваемая мощность, Pmax, Вт

-

340

Tк = 25 0C
Постоянный ток коллектора, Iк max, А

-

40

Tк <= 85 0C
Электрическая прочность изоляции корпуса,
Uпр. из., В

-

2500

Tк = 25 0C
Длительный ток коллектора, Iкд max, А

-

63

tи = 10 сек
Tк <= 85 0C

2.2. Модули подразделяются на классы в соответствии с табл. 2.2.

Таблица 2.2

Класс

Граничное напряжение коллектор-
эмиттер при заданном обратном
напряжении эмиттер-база, В

Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-эмиттер при
заданном обратном напряжении
эмиттер-база, В

5

8

500

800

600

800

2.3. Характеристики модулей должны соответствовать указанным в таблице 2.3.

Таблица 2.3

Наименование параметра,
обозначение параметра,
единица измерения

Норма

Условия установления
нормы

не менее

не более

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер,
Uкэ нас., В

-

3.0

Iк = 63 А
Iб = 2.0 А
Tп = 25 0C

Напряжение насыщения база-эмиттер,
Uбэ нас., В

-

3.5

Iк = 63 А
Iб = 2.0 А
Tп = 25 0C
Статический коэффициент передачи тока,
h21э

100 (I
группа)
50 (II
группа

-

Uкэ = 5 В
Iк = 40 А
Tп = 25 0C
Обратный ток коллектор-эмиттер при
заданном обратном напряжении эмиттер-
база, Iкэх, мА

-

10

Uкэ = 600, 800 В
Uэб = 3 В
Tп = 125 0C
Обратный ток эмиттера, Iэбо, мА

-

300

Uэб = 2 В
Iк = 0, Tп = 25 0C
Время нарастания, tнр., мкс

-

2.0

Uкэ = 400 В
Iк = 40 А
Iб нас. = 80/h21э
Tп = 25 0C
Время рассасывания, tрас., мкс

-

2.0

Uкэ = 400 В
Iк = 40 А
Iб нас. = 80/h21э
Iб зап. = 400/h21э
Tп = 25 0C
Время спада, tсп., мкс

-

3.0

Uкэ = 400 В
Iк = 40 А
Iб нас. = 80/h21э
Iб зап. = 400/h21э
Tп = 25 0C
Импульсное прямое напряжение диода,
Uпр. и., В

-

2.5

Iпр = 40 А
Tп = 25 0C
Время обратного восстановления диода,
tвос. обр., мкс

-

1.0

Iпр = 40 А
dI/dt = 50 А/мкс
Tп = 25 0C

2.4. Модули допускают эксплуатацию в условиях воздействия на них механических и климатических факторов согласно табл. 2.4.

Таблица 2.4

Наименование воздействующего фактора,
единица измерения
Значение воздействующего фактора
Механические воздействующие факторы:
синусоидальная вибрация:
диапазон частот, Гц
амплитуда ускорения, м/с2 (g)
Механический удар одиночного действия:
пиковое ударное ускорение, м/с2 (g)
длительность воздействия, мс
Климатические внешние воздействующие
факторы:
атмосферное давление, кПа (мм. рт. ст.)
Изменение температуры от повышенной
предельной температуры до пониженной
рабочей температуры, 0C
Относительная влажность:
повышенное (верхнее) значение, %, при
температуре 35 0C



10 - 150
50 (5)

200 (20)
11 + 4


106 (800)


от 70 до -40


98

2.5. Климатическое исполнение УХЛ 3.1 по ГОСТ 15150-69.

2.6. Масса модуля - не более 0.140 кг.

2.7. Содержание драгоценных материалов, г. (серебро) - 0.0176.

2.8. Общий вид, габаритные и установочные размеры модуля приведены в приложении.

3. Указания по монтажу и эксплуатации

3.1. Для работы модуль устанавливается на охладитель, обеспечивающий такой температурный режим, при котором температура перехода не превышает максимально допустимую. Охлаждение модуля - естественное.

3.2. Крепление модуля должно обеспечивать надежный тепловой контакт, контактные поверхности рекомендуется покрывать тонким слоем теплопроводной смазки, например, пастой КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

3.3. Не допускается совмещение предельно допустимых электрических режимов эксплуатации.

3.4. При температуре корпуса свыше 50 0C максимально допустимая мощность рассеивания определяется по формуле:
Pmax = (150 - Tк)/0.37,
где Tк - температура корпуса.

3.5. В процессе монтажа модулей в схему механические и тепловые воздействия на них не должны превышать значений, указанных в табл. 2.4.

3.6. Отгибка шин не допускается.

3.7. Модули крепить к охладителю винтами М5 с крутящим моментом (2 + 0.2) Н*м.

3.8. Крепление токовыводов к шинам модуля винтами М4 с крутящим моментом (1.2 + 0.22) Н*м.

4. Комплектность

4.1. Модули поставляются без охладителей.

4.2. В каждой партии модулей, поставляемых в один адрес, прикладывают паспорт.

4.3. В комплект поставки входят:
1) модуль;
2) винт В.М4-6 q х8.56.016 ГОСТ 17473-80 - 3 шт.;
3) шайба 4 65Г 016 ГОСТ 6402-70 - 3 шт.;
4) шайба 4.01.08 кп.016 ГОСТ 11371-78 - 3 шт.

5. Свидетельство о приемке

Модуль силовой полупроводниковый транзисторный соответствует техническим условиям ИЖУК. 435724.001-01 ТУ.

ПО "Электромодуль" ВЦЗ-13

Общий вид. Габаритные и установочные размеры модуля

Словарь терминов:

21.06.2010


Альтернативные источники энергии
Компьютеры и Интернет
Магнитные поля
Механотронные системы
Перспективные разработки
Электроника и технология

Главная страница


Rambler's Top100


 

 

 

 

 

Hosted by uCoz