Модуль силовой полупроводниковый транзисторный на ток 80 А 2М5

Модуль силовой полупроводниковый транзисторный на ток 80 А 2М5

Модуль силовой полупроводниковый транзисторный типа n-p-n на ток 80 А предназначен для применения в ключевых схемах опытных образцов преобразователей.

2.1. Предельно допустимые значения параметров модулей должны соответствовать указанным в табл. 2.1.

Наименование параметра, обозначение параметра, единица измерения	Норма		Условия и режимы
	не менее	не более	Условия и режимы
Постоянное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении эмиттер-база, Uкэк, В	-	600, 800	Uэб = 3.0 В Tп = 125 ⁰C
Постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора равном нулю, Uэб, В	-	7.0	Iк = 0 Tп = 25 ⁰C
Граничное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении эмиттер-база, Uкэк, гр., В	500, 800	-	Uэб = 3.0 В Iк изм. = 0.3 А Tп = 25 ⁰C
Импульсный ток коллектора, Iки max, А	-	80	tи = 30 мкс Q = 20 Tк <= 85 ⁰C
Импульсный ток базы, Iби max, А	-	15	tи = 30 мкс Q = 20 Tк <= 85 ⁰C
Постоянный ток базы, Iб max, А	-	10	Tк <= 85 ⁰C
Постоянная рассеиваемая мощность, Pmax, Вт	-	340	Tк = 25 ⁰C
Постоянный ток коллектора, Iк max, А	-	40	Tк <= 85 ⁰C
Электрическая прочность изоляции корпуса, Uпр. из., В	-	2500	Tк = 25 ⁰C
Длительный ток коллектора, Iкд max, А	-	63	tи = 10 сек Tк <= 85 ⁰C

2.2. Модули подразделяются на классы в соответствии с табл. 2.2.

Класс

Граничное напряжение коллектор-
эмиттер при заданном обратном
напряжении эмиттер-база, В

Максимально допустимое постоянное
напряжение коллектор-эмиттер при
заданном обратном напряжении
эмиттер-база, В

500

800

600

800

2.3. Характеристики модулей должны соответствовать указанным в таблице 2.3.

Наименование параметра, обозначение параметра, единица измерения	Норма		Условия установления нормы
	не менее	не более	Условия установления нормы
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, Uкэ нас., В	-	3.0	Iк = 63 А Iб = 2.0 А Tп = 25 ⁰C
Напряжение насыщения база-эмиттер, Uбэ нас., В	-	3.5	Iк = 63 А Iб = 2.0 А Tп = 25 ⁰C
Статический коэффициент передачи тока, h21э	100 (I группа) 50 (II группа	-	Uкэ = 5 В Iк = 40 А Tп = 25 ⁰C
Обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении эмиттер- база, Iкэх, мА	-	10	Uкэ = 600, 800 В Uэб = 3 В Tп = 125 ⁰C
Обратный ток эмиттера, Iэбо, мА	-	300	Uэб = 2 В Iк = 0, Tп = 25 ⁰C
Время нарастания, tнр., мкс	-	2.0	Uкэ = 400 В Iк = 40 А Iб нас. = 80/h21э Tп = 25 ⁰C
Время рассасывания, tрас., мкс	-	2.0	Uкэ = 400 В Iк = 40 А Iб нас. = 80/h21э Iб зап. = 400/h21э Tп = 25 ⁰C
Время спада, tсп., мкс	-	3.0	Uкэ = 400 В Iк = 40 А Iб нас. = 80/h21э Iб зап. = 400/h21э Tп = 25 ⁰C
Импульсное прямое напряжение диода, Uпр. и., В	-	2.5	Iпр = 40 А Tп = 25 ⁰C
Время обратного восстановления диода, tвос. обр., мкс	-	1.0	Iпр = 40 А dI/dt = 50 А/мкс Tп = 25 ⁰C

2.4. Модули допускают эксплуатацию в условиях воздействия на них механических и климатических факторов согласно табл. 2.4.

Наименование воздействующего фактора,
единица измерения

Значение воздействующего фактора

Механические воздействующие факторы:
синусоидальная вибрация:
диапазон частот, Гц
амплитуда ускорения, м/с² (g)
Механический удар одиночного действия:
пиковое ударное ускорение, м/с² (g)
длительность воздействия, мс
Климатические внешние воздействующие
факторы:
атмосферное давление, кПа (мм. рт. ст.)
Изменение температуры от повышенной
предельной температуры до пониженной
рабочей температуры, ⁰C
Относительная влажность:
повышенное (верхнее) значение, %, при
температуре 35 ⁰C

10 - 150
50 (5)

200 (20)
11 + 4

106 (800)

от 70 до -40

98

2.5. Климатическое исполнение УХЛ 3.1 по ГОСТ 15150-69.

2.7. Содержание драгоценных материалов, г. (серебро) - 0.0176.

2.8. Общий вид, габаритные и установочные размеры модуля приведены в приложении.

3.1. Для работы модуль устанавливается на охладитель, обеспечивающий такой температурный режим, при котором температура перехода не превышает максимально допустимую. Охлаждение модуля - естественное.

3.2. Крепление модуля должно обеспечивать надежный тепловой контакт, контактные поверхности рекомендуется покрывать тонким слоем теплопроводной смазки, например, пастой КПТ-8 ГОСТ 19783-74.

3.3. Не допускается совмещение предельно допустимых электрических режимов эксплуатации.

3.4. При температуре корпуса свыше 50 ⁰C максимально допустимая мощность рассеивания определяется по формуле:
Pmax = (150 - Tк)/0.37,
где Tк - температура корпуса.

3.5. В процессе монтажа модулей в схему механические и тепловые воздействия на них не должны превышать значений, указанных в табл. 2.4.

3.7. Модули крепить к охладителю винтами М5 с крутящим моментом (2 + 0.2) Н ∙ м.

3.8. Крепление токовыводов к шинам модуля винтами М4 с крутящим моментом (1.2 + 0.22) Н ∙ м.

4.2. В каждой партии модулей, поставляемых в один адрес, прикладывают паспорт.

4.3. В комплект поставки входят:
1) модуль;
2) винт В.М4-6 q х8.56.016 ГОСТ 17473-80 - 3 шт.;
3) шайба 4 65Г 016 ГОСТ 6402-70 - 3 шт.;
4) шайба 4.01.08 кп.016 ГОСТ 11371-78 - 3 шт.

Модуль силовой полупроводниковый транзисторный соответствует техническим условиям ИЖУК. 435724.001-01 ТУ.

Общий вид. Габаритные и установочные размеры модуля