Микросхема ПЗУ КР556РТ4А

Форум

Микросхема ПЗУ КР556РТ4А

Описание и технические характеристики микросхемы ПЗУ КР556РТ4А:

Микросхема ПЗУ КР556РТ4А представляет из себя программируемое постоянное запоминающее устройство на основе ТТЛ-элементов с диодами Шоттки и обладает следующими параметрами [3]:

информационная емкость 1024 бит
организация 256 слов х 4 разряда
время выборки адреса не более 70 нс (при T = +25 ^oC)
напряжение питания 5 В + 5 %
потребляемая мощность не более 690 мВт
диапазон температур - 10 ... +70 ^oC
выход - открытый коллектор
совместимость по входу и выходу - с ТТЛ-схемами
коэффициент программируемости не менее 0.9
тип корпуса пластмассовый, 23816-2 (DIP-16)
микросхема поступает к потребителю в первоначальном состоянии, соответствующем логическому 0

Назначение выводов микросхемы КР556РТ4А (табл. 1):

Выводы	Назначение	Обозначение
1 ... 4, 5 ... 7, 15	Адресные входы	A₆ ... A₃, A₀ ... A₂, A₇
9 ... 12	Выход данных	DO₃ ... DO₀
13, 14	Выбор микросхемы	-CS₁, -CS₂
16	Напряжение питания	U_cc
8	Общий	0 В

Таблица истинности микросхем КР556РТ4А (табл. 2):

-CS₁	-CS₂	A₀ - A₇	DO₃ - DO₀	Режим работы
M	M	X	1	Хранение (невыбор)
0	0	A	Данные в прямом коде	Считывание

M - любая комбинация сигналов -CS₁, -CS₂, кроме 00.
X - безразличный уровень сигнала.

Методика программирования микросхемы КР556РТ4А [3]:

Для записи информации в микросхему на ряд ее выводов подаются импульсы напряжения определенной амплитуды и длительности (рис. 1).

Рис. 1. Схема подключения ПЗУ КР556РТ4А в режиме записи информации (а), временные диаграммы (б) (нумерация и обозначения выводов адреса и данных не соответствует справочным данным, хотя сущность разъяснений по программированию от этого не меняется).

До программирования по всем адресам и разрядам в микросхеме содержится состояние "Лог. 0". В каждом цикле программируется только один разряд выбранного слова (побитное программирование). В исходном состоянии напряжение на выводах 13, 14 и 16 равно нулю. Запись бита информации производится в следующем порядке:

на адресные входы подается код адреса слова, в котором программируется бит
напряжение питания повышается до 5 + 0.25 В, источник напряжения при этом должен обеспечить ток не менее 150 мА
на выводы 9 ... 12 подается напряжение "Лог. 0"
напряжение питания повышается до 12.5 + 0.5 В, источник должен обеспечить ток не менее 400 мА; такое же напряжение E_i, i = 0 ... 3, через резистор R = 600 Ом подается на выход, соответствующий программируемому разряду, ток потребления не более 15 мА
напряжение на выводе 14 повышается до 15 + 0.5 В, ток потребления не более 100 мА
напряжение питания понижается до 0 ... 0.5 В
напряжение на выводе 14 понижается до 0 ... 0.5 В

Перечисленные операции повторяют для всех программируемых разрядов слова. После окончания записи слова обычно производят его контроль, для чего напряжение питания устанавливают равным 5 В и выполняют цикл считывания и проверки правильности записи. Допускается контролировать информацию после записи каждого бита. При обнаружении ошибок цикл записи следует повторить. Для предотвращения зависания тугоплавких перемычек во время программирования число повторных попыток ограничивается. В зависимости от длительности импульса напряжения питания t и числа допустимых попыток N различают три режима программирования ИС: нормальный (t₁, N₁), форсированный (t₂, N₂) и дополнительный (t₁, N₃) (табл. 3):

Длительность импульсов программирования, мкс (мс)	25 <= t₁ <= 100 (10 <= t₂ <= 15)
Число импульсов программирования на один бит	1000 <= N₁ <= 4000 N₂ = 100 40 <= N₃ <= 100
Скважность программирующих импульсов	10 <= Q <= 20
Время предустановки напряжения питания при контроле, мкс	200 нс <= t₁ <= 10 мкс
Время воздействия напряжения питания при контрле, мкс	1 < t₂ <= 30
Время задержки подачи импульсов на входе разрешения выборки (-V₁), нс	0 <= t₃ <= 100
Время задержки снятия импульсов на входе разрешения выборки (-V₁), нс	200 <= t₄ <= 1000
Длительность фронта и спада импульса, нс	300 <= t_ф <= 500

Программирование слова начинают в нормальном режиме. Если нормальный режим не обеспечил правильную запись информации, то переходят к форсированному режиму. В случае неудачи и в этом режиме микросхема считается негодной. При первом успешном прохождении операции контроля, независимо от того, в нормальном или форсированном режимах программирования он был получен, необходимо перейти в дополнительный режим. Программирование следующего слова начинают после успешного выполнения всего дополнительного режима. При обнаружении ошибки контроля в дополнительном режиме (восстановление перемычки) делается повторная попытка записи информации. Микросхемы с записанной информацией рекомендуется подвергать электротермотренировке со считыванием информации с частотой 50 Гц ... 1 МГц последовательно по всем адресам микросхемы. Электротермотренировка проводится в течение 168 ч при температуре среды +70 ^oC. Микросхемы, у которых в процессе тренировки произошла потеря записанной информации, допускается программировать один раз повторно.

Для программирования микросхемы ПЗУ КР556РТ4А может быть использован аппаратный программатор [1].

Ссылки:

Аппаратный программатор для микросхем ПЗУ КР556РТ4А
Дианов А. П., Щелкунов Н. Н. Методика программирования микросхем ПЗУ. - Микропроцессорные средства и системы, 1985, № 3.
Полупроводниковые БИС запоминающих устройств: Справочник/ В. В. Баранов, Н. В. Бекин, А. Ю. Гордонов и др.; Под ред. А. Ю. Гордонова и Ю. Н. Дьякова. - М.: Радио и связь, 1986. - 360 с.: ил.

Словарь терминов:

Интегральная микросхема - микроэлектронное изделие, имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов и предназначенное для обработки и преобразования сигналов.
Микросхема ТТЛ - интегральная микросхема с биполярными транзисторно-транзисторными логическими схемами.

28.01.2004
21.06.2010

Альтернативные источники энергии
Компьютеры и Интернет
Магнитные поля
Механотронные системы
Перспективные разработки
Электроника и технология

Главная страница