Главная страница   Контактная информация   Новости науки и техники   Поиск на сайте   Форум

Транзистор биполярный средней мощности высокочастотный 2Т603 (А, Б, В, Г, И), КТ603 (А, Б, В, Г, Д, Е)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные высокочастотные. Предназначены для применения в импульсный и переключающих высокочастотных устройствах.  Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1.75 г.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ = 2 В

при T = +25 0C
при IЭ = 150 мА
2Т603А, 2Т603В, КТ603Д 20 ... 80
КТ603А, КТ603В 10 ... 80
2Т603Б, 2Т603Г 60 ... 180
КТ603Б, КТ603Г, не менее 60
КТ603Е 60 ... 200
при IЭ = 350 мА для 2Т603И, не менее 20
типовое значение 50*
при T = -60 0C, IЭ = 150 мА
2Т603А, 2Т603В 8 ... 80
2Т603Б, 2Т603Г 20 ... 180
2Т603И, не менее 8
при T = +125 0C, IЭ = 150 мА
2Т603А, 2Т603В 20 ... 180
2Т603Б, 2Т603Г 60 ... 400
2Т603И, не менее 20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при UКБ = 10 В, IЭ = 30 мА
не менее 200 МГц
типовое значение 370* МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при IК = 150 мА, IБ = 15 мА
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, не более 0.8 В
типовое значение 0.2* В
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более 1.0 В
при IК = 350 мА, IБ = 50 мА для 2Т603И, не более 1.2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер
при IК = 150 мА, IБ = 15 мА
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более 1.5 В
типовое значение 0.9* В
при IК = 350 мА, IБ = 50 мА для 2Т603И, не более 1.3 В
типовое значение 1.0* В
Время рассасывания при IК = 150 мА, IБ = 15 мА
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, не более 70 нс
типовое значение 40* нс
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более 100 нс
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при UКБ = 10 В, IЭ = 30 мА, f = 5 МГц
не более 400 пс
типовое значение 25* пс
Емкость коллекторного перехода при UКБ = 10 В, f = 5 МГц
не более 15 пФ
типовое значение 3* пФ
Емкость эмиттерного перехода при UЭБ = 0 В, f = 5 МГц
не более 40 пФ
типовое значение 35* пФ
Обратный ток коллектора, не более
при T = +25 0C, UКБО = 30 В
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И 3 мкА
КТ603А, КТ603Б 10 мкА
при UКБО = 15 В
2Т603В, 2Т603Г 3 мкА
КТ603В, КТ603Г 5 мкА
при UКБО = 10 В для КТ603Д, КТ603Е 1 мкА
при T = +125 0C
при UКБО = 24 В для КТ603А, КТ603Б, КТ603 И 60 мкА
при UКБО = 12 В для 2Т603В, 2Т603Г 60 мкА
Обратный ток эмиттера, не более
при UЭБО = 3 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е 3 мкА
при UЭБО = 4 В для 2Т603И 3 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при RБЭ 1 кОм

при TП ≤ +70 0C
КТ603А, КТ603Б 30 В
КТ603В, КТ603Г 15 В
КТ603Д, КТ603Е 10 В
при TП ≤ +100 0C
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И 30 В
2Т603В, 2Т603Г 15 В
при TП = +120 0C
КТ603А, КТ603Б 15 В
КТ603В, КТ603Г 7.5 В
КТ603Д, КТ603Е 10 В
при TП = +125 0C
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И 24 В
2Т603В, 2Т603Г 12 В
при TП = +150 0C
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И 18 В
2Т603В, 2Т603Г 9 В
Напряжение эмиттер-база
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г 3 В
2Т603И при TП ≤ +70 0C 4 В
2Т603И при TП ≤ +125 0C 3 В
Постоянный ток коллектора 300 мА
Импульсный ток коллектора при tИ ≤ 10 мкс, Q ≥ 10 600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
при T +50 0C 0.5 Вт
при T = +85 0C для КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е и при T = +125 0C для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И 0.12 Вт
Тепловое сопротивление переход-среда 200 0C/Вт
Температура p-n перехода
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И +150 0C
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е +120 0C
Температура окружающей среды
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И -60 ... +125 0C
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е -40 ... +85 0C

Примечание

*) Звездочкой отмечены параметры или их значения, приведенные в справочных данных ТУ. При производстве полупроводниковых приборов они могут не контролироваться.

Не допускается пайка выводов ближе 5 мм от корпуса. Пайку выводов допускается производить не более 10 с при температуре не более +270 0C с теплоотводом между корпусом и местом пайки.

Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода 3 мм. Запрещается кручение выводов вокруг оси.

Дополнительные характеристики

Рис. 1. Зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер-база.

Рис. 2. Входные характеристики.

Рис. 3. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Рис. 4. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.

Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы.

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от частоты.

Рис. 8. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

Рис. 9. Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

Рис. 10. Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.

Ссылки:

  1. Петухов В. М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги. Справочник. Т. 4. - М.: КУбК-а, 1997. - 544 с.: ил.
  2. Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник - 3-е изд., стереотип. - /А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: КУбК-а, 1996 г. - 640 с.: ил.

Словарь терминов:

26.09.2019


Альтернативные источники энергии
Компьютеры и Интернет
Магнитные поля
Механотронные системы
Перспективные разработки
Электроника и технология

Главная страница



 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Hosted by uCoz