Транзистор биполярный средней мощности высокочастотный 2Т603 (А, Б, В, Г, И), КТ603 (А, Б, В, Г, Д, Е)

Транзистор биполярный средней мощности высокочастотный 2Т603 (А, Б, В, Г, И), КТ603 (А, Б, В, Г, Д, Е)

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные высокочастотные. Предназначены для применения в импульсный и переключающих высокочастотных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на корпусе.

Масса транзистора не более 1.75 г.

Электрические параметры

Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ = 2 В
при T = +25 ⁰C
при I_Э = 150 мА
2Т603А, 2Т603В, КТ603Д	20 ... 80
КТ603А, КТ603В	10 ... 80
2Т603Б, 2Т603Г	60 ... 180
КТ603Б, КТ603Г, не менее	60
КТ603Е	60 ... 200
при I_Э = 350 мА для 2Т603И, не менее	20
типовое значение	50^*
при T = -60 ⁰C, I_Э = 150 мА
2Т603А, 2Т603В	8 ... 80
2Т603Б, 2Т603Г	20 ... 180
2Т603И, не менее	8
при T = +125 ⁰C, I_Э = 150 мА
2Т603А, 2Т603В	20 ... 180
2Т603Б, 2Т603Г	60 ... 400
2Т603И, не менее	20
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при U_КБ = 10 В, I_Э = 30 мА
не менее	200 МГц
типовое значение	370^* МГц
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
при I_К = 150 мА, I_Б = 15 мА
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, не более	0.8 В
типовое значение	0.2^* В
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более	1.0 В
при I_К = 350 мА, I_Б = 50 мА для 2Т603И, не более	1.2 В
Напряжение насыщения база-эмиттер
при I_К = 150 мА, I_Б = 15 мА
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более	1.5 В
типовое значение	0.9^* В
при I_К = 350 мА, I_Б = 50 мА для 2Т603И, не более	1.3 В
типовое значение	1.0^* В
Время рассасывания при I_К = 150 мА, I_Б = 15 мА
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И, не более	70 нс
типовое значение	40^* нс
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е, не более	100 нс
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте при U_КБ = 10 В, I_Э = 30 мА, f = 5 МГц
не более	400 пс
типовое значение	25^* пс
Емкость коллекторного перехода при U_КБ = 10 В, f = 5 МГц
не более	15 пФ
типовое значение	3^* пФ
Емкость эмиттерного перехода при U_ЭБ = 0 В, f = 5 МГц
не более	40 пФ
типовое значение	35^* пФ
Обратный ток коллектора, не более
при T = +25 ⁰C, U_КБО = 30 В
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И	3 мкА
КТ603А, КТ603Б	10 мкА
при U_КБО = 15 В
2Т603В, 2Т603Г	3 мкА
КТ603В, КТ603Г	5 мкА
при U_КБО = 10 В для КТ603Д, КТ603Е	1 мкА
при T = +125 ⁰C
при U_КБО = 24 В для КТ603А, КТ603Б, КТ603 И	60 мкА
при U_КБО = 12 В для 2Т603В, 2Т603Г	60 мкА
Обратный ток эмиттера, не более
при U_ЭБО = 3 В для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е	3 мкА
при U_ЭБО = 4 В для 2Т603И	3 мкА

Предельные эксплуатационные данные

Постоянное напряжение коллектор-база и коллектор-эмиттер при R_БЭ ≤ 1 кОм
при T_П ≤ +70 ⁰C
КТ603А, КТ603Б	30 В
КТ603В, КТ603Г	15 В
КТ603Д, КТ603Е	10 В
при T_П ≤ +100 ⁰C
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И	30 В
2Т603В, 2Т603Г	15 В
при T_П = +120 ⁰C
КТ603А, КТ603Б	15 В
КТ603В, КТ603Г	7.5 В
КТ603Д, КТ603Е	10 В
при T_П = +125 ⁰C
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И	24 В
2Т603В, 2Т603Г	12 В
при T_П = +150 ⁰C
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603И	18 В
2Т603В, 2Т603Г	9 В
Напряжение эмиттер-база
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г	3 В
2Т603И при T_П ≤ +70 ⁰C	4 В
2Т603И при T_П ≤ +125 ⁰C	3 В
Постоянный ток коллектора	300 мА
Импульсный ток коллектора при t_И ≤ 10 мкс, Q ≥ 10	600 мА
Постоянная рассеиваемая мощность
при T ≤ +50 ⁰C	0.5 Вт
при T = +85 ⁰C для КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е и при T = +125 ⁰C для 2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И	0.12 Вт
Тепловое сопротивление переход-среда	200 ⁰C/Вт
Температура p-n перехода
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И	+150 ⁰C
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е	+120 ⁰C
Температура окружающей среды
2Т603А, 2Т603Б, 2Т603В, 2Т603Г, 2Т603И	-60 ... +125 ⁰C
КТ603А, КТ603Б, КТ603В, КТ603Г, КТ603Д, КТ603Е	-40 ... +85 ⁰C

Примечание

*) Звездочкой отмечены параметры или их значения, приведенные в справочных данных ТУ. При производстве полупроводниковых приборов они могут не контролироваться.

Не допускается пайка выводов ближе 5 мм от корпуса. Пайку выводов допускается производить не более 10 с при температуре не более +270 ⁰C с теплоотводом между корпусом и местом пайки.

Расстояние от корпуса до начала изгиба вывода 3 мм. Запрещается кручение выводов вокруг оси.

Дополнительные характеристики

Рис. 1. Зависимость тока эмиттера от напряжения эмиттер-база.

Рис. 2. Входные характеристики.

Рис. 3. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от тока коллектора.

Рис. 4. Зона возможных положений зависимости статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-эмиттер.

Рис. 5. Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока базы.

Рис. 6. Зависимость напряжения насыщения база-эмиттер от тока базы.

Рис. 7. Зависимость модуля коэффициента передачи тока от частоты.

Рис. 8. Зависимость максимально допустимого напряжения коллектор-эмиттер от сопротивления база-эмиттер.

Рис. 9. Зависимость емкости коллекторного перехода от напряжения коллектор-база.

Рис. 10. Зависимость емкости эмиттерного перехода от напряжения эмиттер-база.

Ссылки:

Петухов В. М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги. Справочник. Т. 4. - М.: КУбК-а, 1997. - 544 с.: ил.
Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник - 3-е изд., стереотип. - /А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. В. Мокряков и др.; Под ред. А. В. Голомедова. М.: КУбК-а, 1996 г. - 640 с.: ил.

Словарь терминов:

Транзистор - полупроводниковый прибор, проводимость которого монотонно зависит от входного сигнала.

26.09.2019

Альтернативные источники энергии
Компьютеры и Интернет
Магнитные поля
Механотронные системы
Перспективные разработки
Электроника и технология

Главная страница